制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:是
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:SO-8
通道数量:2 Channel
晶体管极性:N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压:60 V
Id-连续漏极电流:3.1 A, 2 A
Rds On-漏源导通电阻:70 mOhms, 190 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压:1.2 V, 2 V
Vgs - 栅极-源极电压:20 V
Qg-栅极电荷:22.5 nC, 20 nC
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:2 W
配置:Dual
通道模式:Enhancement
商标名:SIPMOS
封装:Cut Tape
封装:MouseReel
封装:Reel
高度:1.75 mm
长度:4.9 mm
系列:BSO615
晶体管类型:1 N-Channel, 1 P-Channel
宽度:3.9 mm
商标:Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值:2.25 S, 1.2 S
下降时间:18 ns, 90 ns
湿度敏感性:Yes
产品类型:MOSFET
上升时间:75 ns, 105 ns
工厂包装数量:2500
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:25 ns, 125 ns
典型接通延迟时间:16 ns, 24 ns
零件号别名:BSO615CGHUMA1 BSO615CGXT SP000216311
单位重量:540 mg