• 信息最全的元器件资料网
一键搜索元器件图片、规格参数、供应商、PDF资料、价格
BSO615C G /MOSFET N and P-Ch 60V 3.1A, -2A DSO-8
BSO615C G的规格信息
BSO615C G的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SO-8

通道数量:2 Channel

晶体管极性:N-Channel, P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:3.1 A, 2 A

Rds On-漏源导通电阻:70 mOhms, 190 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.2 V, 2 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:22.5 nC, 20 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2 W

配置:Dual

通道模式:Enhancement

商标名:SIPMOS

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.75 mm

长度:4.9 mm

系列:BSO615

晶体管类型:1 N-Channel, 1 P-Channel

宽度:3.9 mm

商标:Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:2.25 S, 1.2 S

下降时间:18 ns, 90 ns

湿度敏感性:Yes

产品类型:MOSFET

上升时间:75 ns, 105 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:25 ns, 125 ns

典型接通延迟时间:16 ns, 24 ns

零件号别名:BSO615CGHUMA1 BSO615CGXT SP000216311

单位重量:540 mg

供应商BSO615C G
BSO615C G的供应商,可免费索样
供应商型号地址联系电话联系人在线联系询价
深圳市威雅利发展有限公司BSO615C G华强北路1019号华强广场A16楼18124047120
18124047120
韩雪Email:3004202884@qq.com询价
深圳市芯幂科技有限公司BSO615C G深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
现代芯城(深圳)科技有限公司BSO615C Gwww.nowchip.com0755-27381274
18098996457
董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市鑫晟源电子科技有限公司BSO615C G深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1006号航都大厦19层C实-单-专-线V+18938047708
18938047708/18938048779
林炜东,林俊源Email:3004003952@qq.com询价
深圳市创科捷佳电子有限公司BSO615C G深圳市福田区中航路鼎诚大厦10楼1009-11090755-82722720
13286466676
詹嘉捷Email:jeyzhan@ckjj-ic.com询价
深圳市安富世纪电子有限公司BSO615C G深圳市福田区中航路都会轩24060755-82573210
18124040553
杨丹妮Email:2881358670@qq.com询价
深圳市坤融电子有限公司BSO615C G航都大厦10I0755-23990975
17318082080,13510287235
肖瑶,树平Email:hzk@krchips.com询价
深圳市芯泽盛世科技有限公司BSO615C G龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
18822854608
李先生Email:2119980731@qq.com询价
集好芯城BSO615C G深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
13360063783
杨先生Email:sam@678ic.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司BSO615C G深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
18126117392
陈玲玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
集好芯城BSO615C G深圳市福田区航都大厦25F4008626627
13360071553
陈泽辉Email:sam@678ic.com询价
芯莱德电子(香港)有限公司BSO615C G深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419,19076157484
杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市高捷芯城科技有限公司BSO615C G深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419
木易Email:2881915365@qq.com询价
深圳市赛美科科技有限公司BSO615C G广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
13480875861
雷小姐,微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话Email:2053086415@qq.com询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司BSO615C G深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
13725570869
朱小姐Email:szyctdz@163.com询价
深圳市河锋鑫科技有限公司BSO615C G华强北都会轩26010755-23903154
13430590551
杨晓芳Email:305739080@qq.com询价
深圳市亿鸿丰电子科技有限公司BSO615C G深圳市福田区华富路1046-1号华康大厦2栋2楼2100755-83230201
19147724283,19147721680
王小姐,刘先生Email:345720093@qq.com询价
深圳市斌腾达科技有限公司BSO615C G深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
13049883113
赵小姐Email:zhujunbin163@163.com询价
深圳市凌特半导体科技有限公司BSO615C G广东省深圳市华康大夏2栋210-219室0755-82714723
13923432237
谢先生Email:3003989381@qq.com询价
深圳市辰芯伟业科技有限公司BSO615C G华强北路新华强广场B座27D0755-83238360
13603072128
Email:517368904@QQ.COM询价
BSO615C G及相关型号的PDF资料
型号功能描述生产厂商厂商LOGOPDF大小PDF页数下载地址相关型号
BSO615C G连续漏极电流(Id)(25°C 时):3.1A,2A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2V @ 20uA,2V @ 450uA 漏源导通电阻:150mΩ @ 2.7A,4.5V;450mΩ @ 1.7A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:N沟道和P沟道Intersil(英特矽尔)Intersil(英特矽尔)的LOGO435.30 Kbytes共13页BSO615C G的PDF下载地址
BSO615C GInfineon(英飞凌)Infineon(英飞凌)的LOGO251.23 Kbytes共13页BSO615C G的PDF下载地址
BSO615C G的全球分销商及价格
销售商型号制造商功能描述价格
元器件资料网-element14 e络盟电子的LOGO
element14 e络盟电子
BSO615C GInfineonFET - 阵列 SIPMOS® 分立半导体产品 半导体 MOSFET SIPMOS Sm-Signal TRANSISTOR1+:¥6.0299
10+:¥4.88
100+:¥3.74
500+:¥3.31
1000+:¥3.24
2500+:¥2.97
10000+:¥2.9
25000+:¥2.81
50000+:¥2.751+:¥8.11
25+:¥7.47
100+:¥5.79
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子
BSO615C GInfineon TechnologiesMOSFET N and P-Ch 60V 3.1A, -2A DSO-81:¥7.458
10:¥6.3958
100:¥4.9155
500:¥4.3392
2,500:¥3.0397
10,000:查看
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子
BSO615C GInfineonFET - 阵列 SIPMOS® 分立半导体产品 半导体 MOSFET SIPMOS Sm-Signal TRANSISTOR1+:¥6.0299
10+:¥4.88
100+:¥3.74
500+:¥3.31
1000+:¥3.24
2500+:¥2.97
10000+:¥2.9
25000+:¥2.81
50000+:¥2.75
元器件资料网-立创商城的LOGO
立创商城
BSO615C GInfineon(英飞凌)MOS(场效应管)1+:¥6.29
200+:¥2.44
500+:¥2.35
1000+:¥2.31
元器件资料网-立创商城的LOGO
立创商城
BSO615C GIntersil(英特矽尔)连续漏极电流(Id)(25°C 时):3.1A,2A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2V @ 20uA,2V @ 450uA 漏源导通电阻:150mΩ @ 2.7A,4.5V;450mΩ @ 1.7A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:N沟道和P沟道1+:¥12.13
10+:¥8.94
30+:¥8.35
100+:¥7.77
500+:¥7.51
1000+:¥7.38